[499pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXTC160N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTC160N10T electronic components. IXTC160N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTC160N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTC160N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTC160N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
83A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
132nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
140W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS220™
Pacote / caso :
ISOPLUS220™
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