[14046pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQB9N25CTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQB9N25CTM electronic components. FQB9N25CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB9N25CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB9N25CTM Atributos do produto
Número da peça :
FQB9N25CTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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