Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF

KEY Part #: K6416044

IRFH7932TRPBF Preços (USD) [196275pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.20200
  • 4,000 pcs$0.20099

Número da peça:
IRFH7932TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH7932TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFH7932TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 104A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4270pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.4W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (5x6) Single Die
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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