IRF6898MTRPBF Preços (USD) [74317pcs Estoque]
- 1 pcs$0.73959
- 4,800 pcs$0.73591
- Número da peça:
- IRF6898MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
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- We specialize in Infineon Technologies IRF6898MTRPBF electronic components. IRF6898MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6898MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6898MTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6898MTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta), 213A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5435pF @ 13V
Recurso FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MX
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MX
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