IRFI1010NPBF Preços (USD) [46297pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.73084
- 100 pcs$0.58735
- 500 pcs$0.45683
- 1,000 pcs$0.37851
- Número da peça:
- IRFI1010NPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI1010NPBF electronic components. IRFI1010NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI1010NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI1010NPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFI1010NPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
49A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
58W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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