DMP1200UFR4-7 Preços (USD) [703220pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05260
- 3,000 pcs$0.04738
- Número da peça:
- DMP1200UFR4-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7 electronic components. DMP1200UFR4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP1200UFR4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP1200UFR4-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMP1200UFR4-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
514pF @ 5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
480mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X2-DFN1010-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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