Vishay Siliconix - IRFBC40ASPBF

KEY Part #: K6399428

IRFBC40ASPBF Preços (USD) [19008pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.58903
  • 500 pcs$1.28675
  • 1,000 pcs$1.02955

Número da peça:
IRFBC40ASPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBC40ASPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFBC40ASPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1036pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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