CSD19536KCS Preços (USD) [19897pcs Estoque]
- 1 pcs$2.29164
- 10 pcs$2.04441
- 100 pcs$1.67651
- 500 pcs$1.35756
- 1,000 pcs$1.08622
- Número da peça:
- CSD19536KCS
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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CSD19536KCS Atributos do produto
Número da peça :
CSD19536KCS
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 100V TO-220
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
150A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
153nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12000pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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