Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8126,LQ(CM

KEY Part #: K6405620

[1603pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPC8126,LQ(CM
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Unijunction Programável ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8126,LQ(CM Atributos do produto

    Número da peça : TPC8126,LQ(CM
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
    Series : U-MOSVI
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
    Vgs (máx.) : +20V, -25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP (5.5x6.0)
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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