[12927pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPP20N60S5
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPP20N60S5 electronic components. SPP20N60S5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP20N60S5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP20N60S5 Atributos do produto
Número da peça :
SPP20N60S5
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
103nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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