Infineon Technologies - IPA65R400CEXKSA1

KEY Part #: K6419390

IPA65R400CEXKSA1 Preços (USD) [109217pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.33866
  • 500 pcs$0.31072

Número da peça:
IPA65R400CEXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R400CEXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPA65R400CEXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V TO220-3
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 100V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 31W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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