[13800pcs Estoque]
- Número da peça:
- MTP10N10ELG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MTP10N10ELG electronic components. MTP10N10ELG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTP10N10ELG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MTP10N10ELG Atributos do produto
Número da peça :
MTP10N10ELG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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