[13829pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDD107AN06LA0
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD107AN06LA0 electronic components. FDD107AN06LA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD107AN06LA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD107AN06LA0 Atributos do produto
Número da peça :
FDD107AN06LA0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
91 mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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