Rohm Semiconductor - R8002ANJFRGTL

KEY Part #: K6393544

R8002ANJFRGTL Preços (USD) [85268pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45856

Número da peça:
R8002ANJFRGTL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R8002ANJFRGTL Atributos do produto

Número da peça : R8002ANJFRGTL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LPTS
Pacote / caso : SC-83

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