SUD35N10-26P-GE3 Preços (USD) [84291pcs Estoque]
- 1 pcs$0.46388
- 2,000 pcs$0.43461
- Número da peça:
- SUD35N10-26P-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3 electronic components. SUD35N10-26P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD35N10-26P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD35N10-26P-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SUD35N10-26P-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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