TK7E80W,S1X Preços (USD) [32472pcs Estoque]
- 1 pcs$1.39702
- 50 pcs$1.06933
- 100 pcs$0.96238
- 500 pcs$0.74851
- 1,000 pcs$0.62019
- Número da peça:
- TK7E80W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X electronic components. TK7E80W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7E80W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK7E80W,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK7E80W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 280µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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