[113pcs Estoque]
- Número da peça:
- BTS113ANKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BTS113ANKSA1 electronic components. BTS113ANKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BTS113ANKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BTS113ANKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BTS113ANKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Series :
TEMPFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
P-TO220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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