ZXMN6A25GTA Preços (USD) [188931pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19675
- 1,000 pcs$0.19577
- Número da peça:
- ZXMN6A25GTA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A25GTA electronic components. ZXMN6A25GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A25GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A25GTA Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN6A25GTA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1063pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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