IXYS - IXFN36N110P

KEY Part #: K6400310

IXFN36N110P Preços (USD) [1932pcs Estoque]

  • 1 pcs$23.64680
  • 10 pcs$23.52915

Número da peça:
IXFN36N110P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN36N110P Atributos do produto

Número da peça : IXFN36N110P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Series : Polar™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1000W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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