IXTR16P60P Preços (USD) [8539pcs Estoque]
- 1 pcs$5.54841
- 10 pcs$4.99445
- 100 pcs$4.10666
- 500 pcs$3.44070
- Número da peça:
- IXTR16P60P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTR16P60P electronic components. IXTR16P60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTR16P60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTR16P60P Atributos do produto
Número da peça :
IXTR16P60P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
Series :
PolarP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
790 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5120pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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