Vishay Siliconix - SI4646DY-T1-E3

KEY Part #: K6406114

[1431pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI4646DY-T1-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4646DY-T1-E3 Atributos do produto

    Número da peça : SI4646DY-T1-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
    Series : SkyFET®, TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1790pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 6.25W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)