Vishay Siliconix - IRFU9110

KEY Part #: K6414771

[12640pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFU9110
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFU9110 electronic components. IRFU9110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU9110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFU9110 Atributos do produto

    Número da peça : IRFU9110
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251AA
    Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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