IRF200B211 Preços (USD) [80621pcs Estoque]
- 1 pcs$0.46409
- 10 pcs$0.41057
- 100 pcs$0.30699
- 500 pcs$0.23806
- 1,000 pcs$0.18794
- Número da peça:
- IRF200B211
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF200B211 electronic components. IRF200B211 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF200B211, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF200B211 Atributos do produto
Número da peça :
IRF200B211
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Series :
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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