GeneSiC Semiconductor - GA05JT01-46

KEY Part #: K6397796

GA05JT01-46 Preços (USD) [1662pcs Estoque]

  • 1 pcs$28.37712
  • 10 pcs$26.70832
  • 25 pcs$25.03877

Número da peça:
GA05JT01-46
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 100V 9A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT01-46 Atributos do produto

Número da peça : GA05JT01-46
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 100V 9A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-46
Pacote / caso : TO-46-3
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