ON Semiconductor - FDPF12N60NZ

KEY Part #: K6397027

FDPF12N60NZ Preços (USD) [36107pcs Estoque]

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  • 100 pcs$0.54742
  • 500 pcs$0.42576

Número da peça:
FDPF12N60NZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF12N60NZ Atributos do produto

Número da peça : FDPF12N60NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Series : UniFET-II™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1676pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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