BSC028N06LS3GATMA1 Preços (USD) [76768pcs Estoque]
- 1 pcs$0.50934
- 5,000 pcs$0.46725
- Número da peça:
- BSC028N06LS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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BSC028N06LS3GATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC028N06LS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 93µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
175nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13000pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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