BSS169H6327XTSA1 Preços (USD) [533066pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.04386
- Número da peça:
- BSS169H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSS169H6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS169H6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
170mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 7V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
68pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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