BSC16DN25NS3GATMA1 Preços (USD) [115180pcs Estoque]
- 1 pcs$0.32113
- Número da peça:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC16DN25NS3GATMA1 electronic components. BSC16DN25NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC16DN25NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC16DN25NS3GATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 32µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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