ON Semiconductor - NVGS3443T1G

KEY Part #: K6416649

NVGS3443T1G Preços (USD) [369692pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10005
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Número da peça:
NVGS3443T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVGS3443T1G Atributos do produto

Número da peça : NVGS3443T1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 565pF @ 5V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6

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