IXFR4N100Q Preços (USD) [7392pcs Estoque]
- 1 pcs$6.13454
- Número da peça:
- IXFR4N100Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFR4N100Q electronic components. IXFR4N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR4N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR4N100Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFR4N100Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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