IXFH11N80 Preços (USD) [9504pcs Estoque]
- 1 pcs$5.01190
- 30 pcs$4.98696
- Número da peça:
- IXFH11N80
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH11N80 electronic components. IXFH11N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH11N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH11N80 Atributos do produto
Número da peça :
IXFH11N80
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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