IXYS - IXFT320N10T2

KEY Part #: K6394565

IXFT320N10T2 Preços (USD) [7740pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.88552
  • 60 pcs$5.85624

Número da peça:
IXFT320N10T2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT320N10T2 Atributos do produto

Número da peça : IXFT320N10T2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Series : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 320A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 430nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 26000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1000W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA