STMicroelectronics - STB6NK90ZT4

KEY Part #: K6404941

STB6NK90ZT4 Preços (USD) [55208pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.70825
  • 1,000 pcs$0.63286

Número da peça:
STB6NK90ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB6NK90ZT4 Atributos do produto

Número da peça : STB6NK90ZT4
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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