Infineon Technologies - IRFR4104TRPBF

KEY Part #: K6402024

IRFR4104TRPBF Preços (USD) [106348pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.34779
  • 2,000 pcs$0.32772

Número da peça:
IRFR4104TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRFR4104TRPBF electronic components. IRFR4104TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR4104TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4104TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFR4104TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 42A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Você também pode estar interessado em
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.