[1188pcs Estoque]
- Número da peça:
- SSM3J321T(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J321T(TE85L,F) electronic components. SSM3J321T(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J321T(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J321T(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
SSM3J321T(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Series :
U-MOSV
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSM
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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