IXYS - IXTA36N30P

KEY Part #: K6399107

IXTA36N30P Preços (USD) [26950pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.94668
  • 1,000 pcs$0.79840

Número da peça:
IXTA36N30P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA36N30P Atributos do produto

Número da peça : IXTA36N30P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
Series : PolarHT™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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