ON Semiconductor - FDMC86261P

KEY Part #: K6396557

FDMC86261P Preços (USD) [114503pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32464
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Número da peça:
FDMC86261P
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC86261P Atributos do produto

Número da peça : FDMC86261P
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-MLP (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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