PMZ200UNEYL Preços (USD) [1154584pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03204
- 10,000 pcs$0.02805
- Número da peça:
- PMZ200UNEYL
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V SOT883. ESD Suppressors / TVS Diodes 30V N-Channel Trench MOSFET
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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PMZ200UNEYL Atributos do produto
Número da peça :
PMZ200UNEYL
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V SOT883
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
89pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1006-3
Pacote / caso :
SC-101, SOT-883
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