[13624pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFD010PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFD010PBF electronic components. IRFD010PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD010PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFD010PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFD010PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 860mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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