BSS159NH6327XTSA2 Preços (USD) [540491pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06843
- 3,000 pcs$0.04620
- Número da peça:
- BSS159NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSS159NH6327XTSA2 Atributos do produto
Número da peça :
BSS159NH6327XTSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
230mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 26µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
39pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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