Toshiba Semiconductor and Storage - TK7A65D(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6418122

TK7A65D(STA4,Q,M) Preços (USD) [52315pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.82618
  • 50 pcs$0.82207

Número da peça:
TK7A65D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D(STA4,Q,M) electronic components. TK7A65D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7A65D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7A65D(STA4,Q,M) Atributos do produto

Número da peça : TK7A65D(STA4,Q,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
Series : π-MOSVII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 980 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

Você também pode estar interessado em