DMN66D0LW-7 Preços (USD) [14058pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.06069
- Número da peça:
- DMN66D0LW-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN66D0LW-7 electronic components. DMN66D0LW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN66D0LW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN66D0LW-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN66D0LW-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
115mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 115mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
23pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-323
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
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