Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J352F,LF

KEY Part #: K6405146

SSM3J352F,LF Preços (USD) [1087457pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03401

Número da peça:
SSM3J352F,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J352F,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3J352F,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.2W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : S-Mini
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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