STMicroelectronics - STFW1N105K3

KEY Part #: K6394402

STFW1N105K3 Preços (USD) [38618pcs Estoque]

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Número da peça:
STFW1N105K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFW1N105K3 Atributos do produto

Número da peça : STFW1N105K3
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
Series : SuperMESH3™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1050V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOWATT-218FX
Pacote / caso : ISOWATT218FX

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