[13451pcs Estoque]
- Número da peça:
- NTHS4501NT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHS4501NT1G electronic components. NTHS4501NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS4501NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHS4501NT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTHS4501NT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
462pF @ 24V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ChipFET™
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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