FCB11N60TM Preços (USD) [47625pcs Estoque]
- 1 pcs$0.82511
- 800 pcs$0.82101
- Número da peça:
- FCB11N60TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCB11N60TM electronic components. FCB11N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB11N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCB11N60TM Atributos do produto
Número da peça :
FCB11N60TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Series :
SuperFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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