FCH190N65F-F155 Preços (USD) [31900pcs Estoque]
- 1 pcs$1.29196
- Número da peça:
- FCH190N65F-F155
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCH190N65F-F155 electronic components. FCH190N65F-F155 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCH190N65F-F155, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCH190N65F-F155 Atributos do produto
Número da peça :
FCH190N65F-F155
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Series :
FRFET®, SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3225pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 Long Leads
Pacote / caso :
TO-247-3
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