STMicroelectronics - STD80N6F6

KEY Part #: K6401453

STD80N6F6 Preços (USD) [3045pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.34534

Número da peça:
STD80N6F6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD80N6F6 Atributos do produto

Número da peça : STD80N6F6
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 60V DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7480pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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