FDA59N30 Preços (USD) [24040pcs Estoque]
- 1 pcs$1.66585
- 10 pcs$1.48736
- 100 pcs$1.21946
- 500 pcs$0.93683
- 1,000 pcs$0.79010
- Número da peça:
- FDA59N30
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDA59N30 electronic components. FDA59N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDA59N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDA59N30 Atributos do produto
Número da peça :
FDA59N30
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
Series :
UniFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4670pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PN
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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