STMicroelectronics - STL12N60M2

KEY Part #: K6396839

STL12N60M2 Preços (USD) [114503pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32464
  • 3,000 pcs$0.32302

Número da peça:
STL12N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL12N60M2 Atributos do produto

Número da peça : STL12N60M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
Series : MDmesh™ M2
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 495 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 538pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 52W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerFlat™ (5x6) HV
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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